clc425ajp芯片_cl40芯片组哪些内存条

1.内存颗粒编号问题

2.内存条编号和具体意思！

3.怎么看内存条颗粒上参数看内存大小

4.12600K/ Z69O CARBON / RTX3070 GOC,海韵 Q503 CONNECT 主机秀

5.三星内存 一个cl9 40 纳米的 和一个cl11 30纳米的 哪个好。。。？

6.怎样区分电脑单独内存卡型号 规格

7.内存支持列表中的SS/DS是什么意思

8.现在的内存颗粒厂商及详细参数

不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：

DDR SDRAM：

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：

HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR

SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &

VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M

8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．

封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．

封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400

3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR

SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）

注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的

LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。

LGS的内存编码规则：

GM 72 X XX XX X X X X X XXX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、GM代表LGS公司。

2、72代表SDRAM。

3、V代表3V电压。

4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。

5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK

7、I／O界面：一般为1

8、产品系列：从A至F。

9、功耗：空白则是普通，L是低功

10、封装模式：一般为T（TSOP）

11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）

二、HY（现代HYUNDAI）

现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。

HY的编码规则：

HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、HY代表现代。

2、一般是57，代表SDRAM。

3、工艺：空白则是5V，V是3V。

4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。

5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；

7、I／O界面：一般为0

8、产品线：从A－D系列

9、功率：空白则为普通，L为低功耗。

10、封装：一般为TC（TSOP）

11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS

三、SEC（三星SAMSUNG）

做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。

SEC编码规则：

KM4 XX S XX 0 X X XT－XX

1 2 3 4 5 6 7 89 10 11

1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。

2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

3、一般均为S

4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。

5、一般均为0

6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK

7、I／O界面：一般为0

8、版本号

9、封装模式：一般为T：TSOP

10、功耗：F低耗，G普通

11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。

四、MT（MICRON美凯龙）

美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。

MT48 XX XX M XX AX TG－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、MT代表美凯龙MICRON

2、48代表SDRAM。

3、一般为LC：普通SDRAM

4、此数与M后位数相乘即为容量。

5、一般为M

6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位

7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk

8、TG代表TSOP封装模式。

9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS

10、如有L则为低功耗，空白则为普通。

五、HITACHI（日立HITACHI）

日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！

HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HM代表日立。

2、52代表SDRAM，51则为EDO

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为5

6、产品系列：A－F

7、功耗：L为低耗，空白则为普通

8、TT为TSOP封装模式

9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）

六、SIEMENS（西门子）

西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。

HYB39S XX XX 0 X T X －X

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HYB代表西门子

2、39S代表SDRAM

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为0

6、产品系列

7、一般为T

8、L为低耗，空白为普通

9、速度：

6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS

七、FUJITSU（富士通FUJITSU）

富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。

MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、MB81代表富士通的SDRAM

2、PC100标准的多为F，普通的内存为1

3、容量

4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位

5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK

6、产品系列

7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS

八、TOSHIBA（东芝）

东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。

TC59S XX XX X FT X－XX

1 2 3 4 5 6 7 8

1、TC代表东芝

2、59S代表普通SDRAM

3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT

4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位

5、产品系列：A－B

6、FT为TSOP封装模式

7、空白为普通，L为低功耗

8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）

九、MITSUBISHI（三菱）

三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见。

M2 V XX S X 0 X TP－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、M2代表三菱产品

2、I／O界面。一般为V

3、容量

4、一般为S，说明是SDRAM

5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位

6、一般为0

7、产品系列

8、TP代表TSOP封装

9、速度：

8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。

10、空白为普通，L为低耗。

--------------------------------------------

HY：是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

5D：内存芯片类型：DDR SDRAM

U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V

28：128M 4K刷新

8：8颗芯片

2：内存bank（储蓄位）：4 bank；

2：接口类型：SSTL_2；

A：内核代号：第2代

空白：能源消耗：普通

T：封装类型：TSOP

K：速度：DDR266A

我也是现看现学的。

内存颗粒编号问题

内存条型号识别

内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：

samsung内存

例：samsungk4h280838b-tcb0

第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、

63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit

的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10

为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr

内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，

第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）

×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算

，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另

一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两

位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存

条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

hynix(hyundai)现代

现代内存的含义：

hy5dv641622at-36

hyxxxxxxxxxxxxxxxx

123456789101112

1、hy代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；

3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v

4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；

128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系

7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2

8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ

11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、

h:ddr266b、 k:ddr266a

现代的mbga封装的颗粒

infineon（英飞凌）

infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两

种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度

。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也

是最容易的。

hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它

也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即

256mb/8bits。

infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；

-8——表示该内存的工作频率是100mhz。

例如：

1条kingston的内存条，用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：

128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。

1条ramaxel的内存条，用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits

（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti

kingmax内存的说明

kingmax内存都是用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到

用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。

在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；

ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；

ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；

ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；

ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。

kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7a——pc133/cl=2；

-7——pc133/cl=3；

-8a——pc100/cl=2；

-8——pc100/cl=3。

例如一条kingmax内存条，用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位

）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）

以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

mt——micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。

lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。

16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。

a2——内存内核版本号。

tg——封装方式，tg即tsop封装。

-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。

实例：一条micronddr内存条，用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每

个bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。

winbond（华邦）

含义说明：

wxxxxxxxx

12345

1、w代表内存颗粒是由winbond生产

2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram　

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；

4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装

5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、

166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为

v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit

，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五

位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量

8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt

内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日

期为2003年第27周

参考资料：

://.winn.cn/bbs/dispbbs.asp?boardID=2&ID=25&page=1

回答者：依凌迟 - 榜眼 十二级 6-6 08:55

提问者对于答案的评价：

太谢谢了，

其他回答共 6 条

简单点说``把内存插到电脑里`开机`点我的电脑`右键``你就看到了

还有`看看内存上面的标签``也有说明

回答者：谢涵 - 经理 四级 6-6 08:54

每根内存条都有自己规定的大小

如果内存上没看到有写

将内存条插在内存槽中

启动电脑 进入windows 对"我的电脑"右键 属性 在"常规"里最下面 有显示内存大小 记得都是2的次方

哦 有的电脑显示 504MB什么的 其实就是说内存条512MB 反正最接近2的次方的一个数字(当然有的时候

64+128也有)

回答者：cang__cang - 试用期 一级 6-6 09:00

我们可以把它插到机器上测试出来.

另外，可以通过查验内存颗粒的型号，可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但

能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒

，主要是一些国际性的大厂所生产。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，

所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号用一个16位数字编码命名的。这其中用

户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、

63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit

的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为

8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR

内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，

第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）

× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算

，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另

一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两

位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存

条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来

说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每

个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量

为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都

是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它

也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即

256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：

128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：

128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们

看到用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和

128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数

位）×16片/8=128MB（兆字节）。

回答者：cybcool - 试用期 一级 6-6 09:00

一般在内存的标签上都注有详细的内存型号、容量等技术数据。插在电脑上也可以看见内存大小。具体

方法：右键点我的电脑--属性即可显示出内存大小。

内存条编号和具体意思！

分类: 电脑/网络 >> 硬件

问题描述:

请教下高手我的内存是威刚的DDR400万紫千红可是用软件CPU-Z看内存颗粒编号没有显示我在仔细一看出厂日期和序列好也全是空白上面就写了一个内存模块厂商的名字请教高手告诉我到底怎么看内存的真

解析:

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。

(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：

▲ HY HYUNDAI ------- 现代

▲ MT Micron ------- 美光

▲ GM LG-Semicon

▲ HYB SIEMENS ------ 西门子

▲ HM Hitachi ------ 日立

▲ MB Fujitsu ------ 富士通

▲ TC Toshiba ------ 东芝

▲ KM Samsung ------ 三星

▲ KS KINGMAX ------ 胜创

(2)内存芯片速度编号解释如下:

-7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.

–75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.

–8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.

–7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.

–10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.

(3) 编 号 形 式

HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.

b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.

CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.

dd表示带宽。

f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.

g表示版本号，B—第三代。

h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。

ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.

jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;

10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非PC100)。

例：1） HY57V651620B TC-75

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.

2) HY57V653220B TC-7

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注

1 三星 韩国 SAMSUNG

2 现代 韩国 HY

3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并

4 迈克龙 美国 MT

5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并

6 日电 日本 NEC

7 日立 日本 HITACHI

8 冲电气 日本 OKI

9 东芝 日本 TOSHIBA

10 富士通 日本 F

11 西门子 德国 SIEMENS

12 联华 台湾 UMC

13 南亚 台湾 NANYA

14 茂矽 台湾 MOSEI

怎么看内存条颗粒上参数看内存大小

3D RAM(3 DIMESION RAM)： 三维处理器专用存储器

CDRAM(Cached DRAM)：高速缓存存储器

CVRAM(Cached VRAM)：高速缓存存储器

DRAM(Dynamic RAM)：动态存储器 一种随机存取记忆体 (RAM)，记忆体不会一直保存记忆内容，会随着时间而将内容流失，技术上来说就是，记忆体必须不断的重新的加强 (REFRESHED) 电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格较静态记忆体 (SRAM) 便宜，但存取速度较慢，耗电量较大。

EDRAM (Enhanced DRAM)： 增强型动态存储器

EDO RAM(Extended Date Out RAM)：扩展数据模式存储器

EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：扩展数据模式静态存储器

EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：扩展数据模式存储器

FPM RAM(Fast Page Mode)：快速页模式DRAM，当一个存取与前一次存取为同一记忆体页 (PE) 时，不用传输 ROW 地址以加快存取速度。 由于以页为单位加速，又称为 PE MODE MEMORY，存取速度从 120 NS 到 60 NS。 FPM 技术在 EDO DRAM 技术出现之前是最常见的 DRAM 种类。

FRAM(Ferro electric RAM)： 铁电体存储器

MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽动态存储器由 MOSYS 公司所发展的记忆体 (MEMORY) 架构，与传统架构不同的是 MDRAM 将 BANK 的容量缩小，并使每一个 BANK 使用独立的汇流排 (BUS) 输出入埠 (I/O PORT)，这样的结果是 MDRAM 能同时存取数个 BANK，使资料的读写速度加快，并且能够用较小的数量增加记忆体。

NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)：中断电源时仍能保存资料的随机存取记忆体 (RAM)。

SDRAM(Synchronous DRAM)：同步动态存储器:一种能够与处理器 (CPU) 汇流排 (BUS) 同步运作，时脉可达 66,100,133 MHZ 的 DRAM，并能够同时开启两个记忆体页 (PE)。

SGRAM(Signal RAM)：单口存储器

SRAM(Static RAM)： 静态存储器:一种随机存取记忆体 (RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline Burst SRAM):一种支援 PIPELINED 与冲刺模式 (BURST) 的DRAM 快，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，但制造成本较高，通常用来作为快取 (CACHE) 记忆体使用

SVRAM(Synchronous VRAM)： 同步存储器

VRAM(Video RAM)：存储器:专为绘图影像卡 (VIDEO ADAPTER) 所设计的随机存取记忆体 (RAM)，与一般 RAM 不同的是，VRAM 能够使 RAMDAC 能够与影像处理器 (PROCESSOR) 同时存取资料，加速图像的显示。

WRAM(Windows RAM)：存储器(图形处理能力优于VRAM)有与 VRAM 类似的特性，但速度表现比 VRAM 更佳。

PC100 PC100内存条

按照Intel的定义

PC100 SDRAM规范包含：内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。

凡是时钟周期TCK≤10ns,存取时间TAC≤6ns，主板时钟频率设置在100MHz下，并且在BIOS中Chipset Features Setup选项里SDRAM CASLatency Time（CAS延迟时间）中，CAS可设为2或3并带SPD的SDRAM内存条都是PC100内存条。

从外观上来看，PC100内存条最典型的特征是正面右上角的8脚SOIC封装的小芯片，这就是SPD芯片，如果你没看到这个SPD芯片，板上只留了8个焊点，那么这就不是PC100，但并不是说此内存条无法稳定工作在100MHz.

PC100内存条编号

表示为：PCX-ABC-DEF的形式。

1、X代表工作频率，66MHz或100MHz等

2、A代表最小的CAS Latency数，时钟数一般为2或3

3、B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2

4、C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2

5、D代表最大tAC（Access time from CLK）时间，多为6ns、7ns等数值

6、E代表SPD的版本号V1.2

7、F是一个保留值为0。

PC133 PC133 SDRAM

由台湾VIA威盛公司制定的。133MHz的工作环境下正常工作，在其系统时钟周期tCK(System clock cycle time)的数值的规格部分必须至少为7.5ns，tAC不超过5.4ns,工作频率为133MHz。对于PC133 SDRAM来说，在CAS Latency=3，能正常工作，但在CL=2，外频为133MHz的时并不能保证能正常工作。

PC133 SDRAM 的数据带宽 1.06 GB/s(64 bit/8 x 133 MHz)，比 Direct RAMBUS DRAM 的 1.6 GB/s 低，但PC133 SDRAM是PC100 SDRAM 的延伸。

SPD（串行存在检测）

SPD（串行存在检测）是许多SDRAM DIMM模块所具有的新功能，它使BIOS能够更容易地配置系统以适应SDRAM的性能参数。

，通常是1个8针的SOIC封装（3mm*4mm）型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址宽等信息。

SPD(Serial Presence Detect串行存在检测)设备是一个8脚的串行EEPROM芯片（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦写存储器），其中存储着DIMM模块的容量、速度、电压以及行、列地址带宽等参数信息。BIOS在上电检测阶段读取这些参数，然后自动地调整CMOS有关选项，从而获得最高的性能和可靠性。

没有SPD，在使用EDO DIMM时不会有问题，由于SDRAM以EDO RAM两倍的速度工作,使用没有SPD的SDRAM DIMM时系统无法启动。

带有SPD的DIMM的正面靠右边的地方有一个8脚3mm*4mm的SOIC封装的256字节的EEPROM小芯片。型号以24LC01B居多。带有SPD的DIMM能够用于所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必须带有SPD。

内存芯片的标识

内存芯片的标识中通常包括：厂商代号、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，以及电压、容量系数和特殊标识。

以“?XXX64160AT-10”为例，“?”是厂商的标志代号。

1、厂商代号：

AAA NMB

BM IBM

HM Hitachi日立

HY Hyundai 现代电子

HYB Siemens 西门子

GM LG-Semicon

KM或M Samsung 三星

LH SHARP 夏普

M5M Hitsubishi

MB Fujitsu 富士通

MCM Motorola

MN Matsushita

MSM OKI

MT Micron 美凯龙

NN NPNX

TC或TD Toshiba东芝

TI TMS德州仪器

uPD NEC日电

2、xxx 厂商内部标识

3、64是指64Mbit的容量 注意是bit[位]，而不是Byte[字节]

4、16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统，需4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是8/4*32=128MB一条的内存。

5、0表示这是一条SDRAM；

6、“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO RAM，双数则是SDRAM。

位组(Byte):，一组二进位 (BINARY) 的位 (BIT) 集合。

通常称 8 个位为一个位组，但是这只是习惯，而大部分的系统也都定义 8 个位为一个位组，其它数目的位组定义也可以使用，只是可能会产生误解。

位组的计量单位有:

1。 KILOBYTE，KB，2 的 10 次方 : BYTE。

2。 MEGABYTE，MB，2 的 20 次方 : 1048576 BYTE，或 KBYTE。

3。 GIGABYTE，GB，2 的 30 次方 : 1073741824 BYTE，或 MEGABYTE。

4。 TERABYTE，TB，2 的 40 次方 : 1099511627776 BYTE，或 GIGABYTE。

5。 PETABYTE，2 的 50 次方 : 1125899906842624 BYTE，或 TERABYTE。

6。 EXABYTE，2 的 60 次方 : 11529215046068466 BYTE，或 PETABYTE。

7。 ZETTABYTE，2 的 70 次方 : EXABYTE。

8。 YOTTABYTE，2 的 80 次方 : ZETTABYTE。

内存(Memory):记忆体，储存资料的装置，主要分为为 RAM 或 ROM。

SIMM(Single In_Line Memory Module):一种将记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP) 焊在表面的电路板模组，使记忆体的安装与拆除较直接安装芯片为容易。SIMM 的资料宽度为 32 位 (BIT)，而一种新技术称为 DIMM 的记忆体模组，资料宽度为 64 位

DIMM (Dual In-Line Memory Module):将数个记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP) 装于一块电路板上的记忆体模组，DIMM 的资料信道宽度是 SIMM 的两倍，为 64 位 (BIT)。

ECC (Error-Correcting Code):一种含有特殊电路，能够自我检查错误及更正的记忆体 (MEMORY)。

时钟周期：它代表RAM所能运行的最大频率，这个数字越明所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。

存取时间：代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为7、8或10ns。

CAS的延迟时间。这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。如PC133的SDRAM在外频为133MHz时，能运行在CAS Latency = 3，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是三个时钟周期。

12600K/ Z69O CARBON / RTX3070 GOC,海韵 Q503 CONNECT 主机秀

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，这款内存实际的最高工作状态是多少。

三星内存 一个cl9 40 纳米的 和一个cl11 30纳米的 哪个好。。。？

废话前言：

对比之前 Q704 的定位，ARCH Q503 会更亲民实惠一些，标配用的是 750W 金牌电源，定位于中端用户玩家，体积也会来得更小一些，用紧凑型中塔设计，不铺张不浪费，那么废话不多说，进入正题！！！

具体配置：

CPU：INTEL i5 12600K

主板：微星 MPG Z690 CARBON WIFI DDR5

显卡：索泰 RTX 3070-8GD6 天启 GOC

内存：金士顿 FURY BEAST 野兽系 RGB DDR5 5600 16G 2

存储：西数 SN850 500GB

散热：利民 FC140 BLACK 冰封统领

风扇：利民 TL-C12S 12cm argb 幻彩风扇

机电：海韵 SEASONIC ARCH Q503 一体化 CONNECT 750W 金牌电源

配置还可以，12600K CPU 搭配 RTX 3070 显卡，性能对于大部分人来说基本够用，为好看上档次！搭配主板好一些，选用的是微星 MSI MPG Z690 CARBON WIFI DDR5，准旗舰级主板，颜值外观规格都非常的不错，一步到位，省得以后纠结。

搭配大号双塔散热器，选用的是利民 FC140 BLACK 冰封统领，性能及颜值都非常的不错，通体黑色外观设计，配备金属顶盖，少些工业风，多些简约风，官标 TPC 能力 275W。

机箱风扇位填满 ，因为机箱太过简约朴素，所以均搭配有 RGB 灯光，搭个绿色拍拍效果，前置及尾部用的是利民 TL-C12S 12cm argb 幻彩风扇，合计四把，顶部用的是上台机箱的闲置，两把 14cm 风扇填满（ 亦支持 12cm 2 )。

内存选用的是金士顿 FURY BEAST 野兽系 RGB DDR5 5600 16G 2，规格方面够用即可，也就感觉这款内存造型风格还不错，通过 FURY CTRL 灯控软件，给到的光效及玩法也还蛮丰富。

搭配选用的是索泰 RTX 3070-8GD6 天启 GOC，定位于中高端级别的非公显卡，三风扇搭五热管的散热规模，性能基本可以满足到 2K 分辨率下，绝大部分 游戏 的使用需求。

用双 8PIN 供电设计，用料规格也还可以，外观那就仁者见仁智者见智了，个人觉得还可以，且还带有可观 RGB 灯光性能。

机箱下置电源设计，搭配的是一颗 750W 的金牌电源，PRIME 旗舰系列，电源位置做了开孔展示，但也只能适配到自家的 CONNECT 系列电源。

海韵这机箱的亮点都在背面，电源搭配有 CONNECT 连接模块 ，整合安装到机箱上面，线材的安插与连接，真心是会方便不少，但还是有 I/O 部分及各种风扇线材，所以背线效果其实并不会改善多少。

整体装机效果展示：

点亮！主机不同角度的外观展示。

关机无灯！主机不同角度的外观展示。

机箱的菊花展示。

装机配件介绍：

首先看看微星的主板 ，蓝色系简约风格的外包装，居中 Z690 CARBON WIFI 型号标注，左上角 MSI 龙盾，右上角 INTEL 12 代标识，左下角标注 TPM2.0 的 WINDOW 11 支持，右下角 MYSTIC LIGHT 灯光，LIGHTNING GEN5支持，里头五花八门的印刷品，包含说明书、宣传卡、贴纸贴标等等等，相关附件一些线材、螺丝、WIFI 天线、小礼品等等等。

微星 MPG 系列定位于中高端用户，仅次于 MEG 系列，标准的 ATX 版型规格，用黑色系外观设计，表面大面积黑灰色金属散热马甲覆盖，上头点阵图案及文字龙标修饰，整体颜值外观相当的不错。用料部分为 8 层 PCB，用豪华的 18+1+1 相数字供电设计，最大输出能到 75A 的 DrMOS ，基本满足大部分玩家的超频需求，释放 12 代 CPU 的全部性能。

对应双 8PIN CPU 供电接口，可为 12 代 CPU 超频提供充足的电流输出保障，两块硕大的金属散热模块，辅以热管串联，给到 MOS 及电感的散热需求，一体式 I/O 挡板，从左到右分别为 FLASH BIOS 升级按钮、四个黑色的 USB 2.0 Type-A 接口、HDMI 及 DP 输出接口、五个红色的 10GB USB 3.2 GEN2 Type-A 接口、一个 20GB USB 3.2 GEN2 Type-C 接口、2.5G LAN 接口、Wi-Fi 6E 蓝牙天线接口、音频接口支持光纤输出。

四条 DDR5 内存卡槽，使用双向卡扣设计，单条支持 32GB，最大可以支持到 128G 的容量，标称 6666MHZ OC 频率，MSI Memory Boost 技术的加持，提升稳定性和超频能力。上沿高端主板标配 Debug 纠错灯，另值得一提的是除了给到有常规 5V 及 12V 标准 RGB 接口外，另还给到有 CORSIAR 海盗船灯光接口，可支持贼船家的灯光产品。

24PIN 供电旁，前置 USB 3.2 GEN2 及 Type-C 10GB 扩展机箱 I/O 接口。

左侧下沿 6 个 SATA 6GB 横插接口。

下沿的拓展接口该有都有，12V + 5V RGB 接口（合着有两组）、两个 USB 2.0 接口等等等，值得一提就是带有 LED RGB 开关，可以手动关闭灯光，PCIe 扩展方面，提供三条 PCIe 16 卡槽，两条带金属加固设计的是 PCIe 5.0 16 及 PCIe 5.0 8，下沿插槽则由芯片组提供 PCIe 3.0 4 。

带有 4 个 M.2 存储接口，分布于 PCIe 卡槽之间，均覆盖有金属马甲散热，PCIe 4.0 4 接口，其中 M.2_1 为 CPU 直连（上下均覆盖有导热贴），其它 3 个 M.2 则由芯片组提供。

搭配内存选用的是金士顿 FURY BEAST 野兽系 RGB DDR5 5600 16G 2，FURY BEAST 这系列内存的定位，偏向于中端入门级用户，对比其它 D5 RGB 灯条，价格相对会比较实惠一些，当然包装也比较的简陋啊。

外观造型个人还蛮喜欢的，造型机甲风格， 科技 感十足，低马甲的高兼容设计，表面的 FURY LOGO 用的立体贴标突出修饰，到 KINGSTON、 BEAST、DDR5 文字示意点缀。

顶部 RGB 导光带，凸起位置 FURY 文字 LOGO 点缀，搭配有灯光驱动软件 FURY CTRL，给到的光效及玩法还蛮丰富的，内侧规格贴标，并没有明示具体参数，具体用 INTEL XMP 3.0 标准，XMP 频率最高 5600 MHZ，对应时序 CL40-40-40-80，电压 1.25V。

接着看看索泰的这张 RTX 3070 天启，官标尺寸 315 x 122 x 66mm，用了三风扇的散热规模设计，黑银的配色方案，银色部分为金属材质，添增产品的质感。

整体造型看着非常的凌厉张扬，蛮符合天启的型号命名，另外中间风扇还搭配了一道 ARGB 的光环修饰点缀，显卡侧面，居中位置的 ZOTAC LOGO 同样也给到了 ARGB 的灯光点缀，左侧 NV 强制的 GEFORCE RTX 英文标注。

外露的散热鳍片，看着非常的工整，供电用的是 8+8PIN 的设计。

呼应整体的外观设计，显卡金属背板上带有图腾修饰，一对翅膀搭配一个头，还可以直接扣上附带的风扇，为显卡核心及供电提供额外的散热。

搭配有五根热管，鳍片与热管均做了镀镍处理，搭配官宣的冰镜导热模组，具备了更高导热效率，厚度约占 2.5 个 PCI 卡槽，标配双 PCI 挡板设计，表面做了镀镍处理，另外带有大面积的几何开孔，用于增强进出风，对应给到的接口，给到 3 个 DP 1.4 接口及 1 个 HDMI 2.1 接口。

风冷散热器选用的是利民 FC140 BLACK 冰封统领，准旗舰级散热器，做工及用料规模都相当的不错，个人觉得性价比挺高的，金属扣具背板及螺丝也并做了黑化处理，支持 AMD 及 INTEL（ 还抢先附带了即将发布 AM5扣具 ）。

双塔双风扇设计，本体尺寸为140mmx121mmx158mm，重量1kg（不含风扇），通体黑色外观设计，黑化金属顶盖，表面银白色的利民 LOGO 修饰，颜值外观也还可以。

散热本体，用 106 片的鳍片规模，0.4mm 的厚度，间隙 1.8mm，侧面折边全扣 fin，鳍片之间紧致工整，整体黑色涂层处理，另左右两侧均做了内收避让设计，以适配兼容高马甲内存。

底座预装弹簧螺丝压力扣具，纯铜材质的底座，表面电镀工艺，CNC 同心圆镜面处理，搭配 5 根 8mm HP（防逆重）热管，鳍片和热管及底座，三者用的是回流焊工艺焊接而成。

两把散热风扇，分别为零售款的 TL-C12 PRO 和 TL-D14X-B，铁壳铜轴钢芯，14mg 平衡点 2 次点胶动平衡，均为 1850RPM 10% 的转速，合计可输出 180CFM 的总风量。

搭配的机箱风扇，选用利民 TL-C12S 12cm argb 幻彩风扇，总不能一黑到底，灯光点缀一下，规格方面，官标最高转速 1500RPM 10%、风量最高 66.17 CFM 、风压 1.53mmAq、噪音值 25.6dB(A) 等。

风扇本体，用利民经典配色，个人觉得搭配黑色机箱还可以，四个角搭有硅胶减震垫，白透扇叶，易于灯光的传导，九扇叶规模，轴承选用高精度 S-FDB 密封机构，具备更长的使用寿命....

选用机箱海韵 ARCH Q503 ，标配 750W 金牌电源（ 放置于机箱内部 ），电源搭配有 CONNECT 连接模块 ，可将机电一体化连接，从而实现更好的装机效果，且装机理线也会来得更加方便一些。

机箱整体造型方正瘦长，简约的外观设计风格，两侧钢化玻璃，标准ATX紧凑类型，具体尺寸为 448mm 215mm 482 (长宽高）， 空间利用率还蛮高，主流硬件的兼容性基本也不会有什么问题。

前置极简面板，居中是这个系列的 ARCH LOGO，面板用卡扣式固定，可以轻松拆卸与安装，内部出厂预装有两个 120mm 风扇，支持安装两个 140mm 风扇，冷排支持 120/140/240/280/360mm，尾部下置电源安装接口，全段式 7 个 PCI 挡板安装位（ 可支持市面上大部分的垂直转接架），出厂预装 12cm 风扇排风，空余位置也都做了开孔处理，加强散热进出风。

上置 I/O 接口设计，位于机箱的右侧，从左到右分别是电源开关、电源及硬盘指示灯、重启按键、音频输出输入、USB 3.0 接口、 Type-C 接口。

机箱内部，最高可支持到 E-ATX 主板规格，塔式风冷最高支持 165mm，显卡最长可支持 380mm，正面进风，顶部及尾部排风，顶部风扇位，支持 120mm 2 、140mm 2，空间亦支持 120/140/240/280 冷排安装。

电仓顶部也可以支持安装风扇，支持 120mm 2 ，合着最多可支持到 8 把 120mm 风扇，面面俱到，对应这样的体积，算是比较夸张的了。

顶部位置上配备磁吸式防尘网设计。

底部同样带有防尘网，用抽拉式设计。

机箱背面，CONNECT 模块通过螺丝固定在背部，设计有五个出线孔，均带有橡胶套，这东西的好处就是可以缩短走线的距离，简化接线步骤，从而降低走线难度，同时也省掉了后做定制线的费用，但也仅限于电源部分的线材，I/O 及各种风扇 RGB 线，那就得自力更生了，机箱存储扩展部分也设计在了背部，电源仓内部带有一个可拆式的硬盘支架，支持安装 3.5 寸 HDD 2（其中顶部同时兼容 2.5寸 SSD 1），主板背面，带有硬盘托架，支持安装 2.5 寸 HDD 2 或 3.5 寸 HDD 1。

最后看看电源部分，用独立包装设计，后续应该会推出零售版本，方便玩家升级，对应模块都是通用的，里头包含有模组线、电源连接线、24PIN 短接插口、走线用的扎带及魔术贴以及相关说明书保修手册，另有一张联合Steam的充值活动（需要注册上传自己的装机照片）。

电源外观用 PRIME 旗舰系列的设计语言，搭配有镀镍高亮的风扇罩装饰，两侧及风扇罩中间 PRIME 金属贴标示意点缀、14cm 短机身尺寸设计，内置 12CM 的液态轴承静音风扇。

对应尾部，搭配 HYBRID MODE 风扇停转模式切换按钮，默认按压为正常运行，松开则可以实现 70% 负载下风扇停转运行，从而实现更好的静音效果。

电源铭牌，80PLUS 金牌的标准认证，实际最高效率达到了 92%，单路 12V 输出电流 62A，功率 744 瓦，应付主流平台问题不大，连接线材用全黑扁平化设计，线材柔软度还不错，走线视觉效果同样也还可以，数量对应 CONNECT 模块上的接口。

接口位于模块两侧，区域划分和文字标注示意，两组 10+18PIN M/B 接口，四组 8PIN PCIE 接口、四组 6PIN PERIPHERAL/SATA/MOLEX 接口、两组 8PIN CPU 接口，模块与电源则位于底部，大的 20PIN 接口 + 小的 10PIN 白色接口。

相关性能测试：

最后测试部分，室内温度约为 27 度左右，机箱侧板封闭状态（ 前置三 120 风扇进风，尾部单 120 排风，顶部 140 2 排风 ）， 平台 CPU GPU 默认，内存 XMP 至 5600HZ，WIN 11 的系统，测试的结果仅供大家参考。

首先看看鲁大师，具体的配置信息，给到的综合性能得分为 1857412。

CPU-Z 跑分 。

金士顿 FURY BEAST 野兽系 RGB DDR5 5600 16G 2，内存 AIDA64 跑分表现。

索泰 RTX 3070-8GD6 天启 GOC，3DMARK 测试，各种模式下的得分如上。

实际的 游戏 表现，赛博朋克 2077，2K 分辨率，BENCH 测试，超级光追，自动 DLSS ，平均 74.22FPS ，超级画质，关闭光追，平均 74.25FPS。

古墓丽影：暗影，2K 分辨率下，自动 DLSS，最高画质，超高光追，平均帧数为 127FPS，最高画质，关闭光追，平均帧数为 172FPS。

显卡 TIME SPY 压力测试 99.1% 通过，FURMARK 满载测试，GPU 频率 1440MHz ，显存 1750MHz ，过程 20 分钟左右，核心温度 67.7 C（结温 80.1 C），功耗 220.2W 左右。

CPU 满载温度表现，AIDA64 单烤 FPU 压力测试，12600K 全核 4.7G，20 分钟左右，P-CORE 温度最大值 77 C，E-CORE 温度最大值 60 C。

怎样区分电脑单独内存卡型号 规格

要对比这个，首先得明白，纳米技术对于电子产品的意义。

比如新款的CPU 一般用 32纳米技术， 他的上一代呢是 45 纳米，再上一代就是65.

而且据说英特尔即将推出22纳米技术的 CPU

纳米越小，意味着他可以在同一块大小的芯片上集成更大的电路。 功耗也更低，反应更快

这就是为什么 老款CPU 3.0 的主频 却比不过 新款的 2.4主频

内存支持列表中的SS/DS是什么意思

内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：

samsung内存

例：samsungk4h280838b-tcb0

第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

hynix(hyundai)现代

现代内存的含义：

hy5dv641622at-36

hyxxxxxxxxxxxxxxxx

123456789101112

1、hy代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；

3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v

4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系

7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2

8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ

11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a

现代的mbga封装的颗粒

infineon（英飞凌）

infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。

infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；

-8——表示该内存的工作频率是100mhz。

例如：

1条kingston的内存条，用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。

1条ramaxel的内存条，用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti

kingmax内存的说明

kingmax内存都是用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；

ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；

ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；

ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；

ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。

kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7a——pc133/cl=2；

-7——pc133/cl=3；

-8a——pc100/cl=2；

-8——pc100/cl=3。

例如一条kingmax内存条，用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）

以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

mt——micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。

lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。

16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。

a2——内存内核版本号。

tg——封装方式，tg即tsop封装。

-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。

实例：一条micronddr内存条，用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。

winbond（华邦）

含义说明：

wxxxxxxxx

12345

1、w代表内存颗粒是由winbond生产

2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram?

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；

4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装

5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt

内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周

现在的内存颗粒厂商及详细参数

内存支持列表中，内存详细参数里，SS指的是单面内存，DS指的是双面内存。

内存一共有两面，根据内存总容量和内存芯片的存储容量，内存厂家会生产双面内存和单面内存，也就是内存的两面都有存储芯片，或者只有一面有存储芯片。

单双面内存在兼容性上有一定区别，所以会单独列出来。

我们经常用到的内存品牌有：海盗船、Kingston（金士顿）、Kingmax（胜创）、APACER（宇瞻）、三星（SAMSUNG）、现代（HYNIX）等。杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盗船内存主要用于服务器或者发烧玩家，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，推荐选购Kingston的VALUERAM盒装内存，以及APACER盒装内存（建议购买英飞凌”INFINEON“颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，品质上没有任何问题，大家完全可以放心使用。如果资金不是很宽裕，建议购买非打磨现代的内存，经实践证明原厂现代内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，现代的内存货严重泛滥，关于其及售方法将在下文中提到。如果你要购买现代的兼容内存，建议你一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上不推荐购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax内存之所以不推荐，就是因为Kingmax内存与某些主板（如早期NFORCE 2芯片组）的兼容性不是很好，但其自身的品质和性能绝对也是业界一流的。希望在购买的时候一定要当场试试，看有没有兼容性问题.

现代颗粒：

作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃货的命运。

目前现代主流的内存颗粒有两种，默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。

海力士（Hynix）颗粒：

与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。

KINGSTON系列：

虽然他比KINGMAX出道晚，但是他却以迅雷不及掩耳的速度在国内走红，可能最主要的原因就是内存质量了。同样市场上也就出现了仿冒的盒装KINGSTON。辨别是否是正品非常的简单。首先，正品的封口贴纸印刷色彩丰富。冒的产品则逊色很多。

如果不能通过包装外表来识破真，那么就看看内存颗粒，货为了节省成本通常使用廉价的杂牌内存颗粒，而正品则是以SAMSUNG，HY等为主的。但是必须要提防打磨的颗粒。还有一招就是拨打内存上的800电话来辨别真。

三星原厂颗粒：

三星与现代原厂内存一直都是比较崇尚的，自从去年进入市场以来也都没有过的清闲，频繁受到了仿冒品的骚扰。

现在的所谓三星原厂的仿冒品如同以前的散装条，做工较为粗糙，PCB质量较为低劣，并且分量也不及原厂条来的重。内存颗粒的激光字体原厂的非常清晰，而仿冒品则有摩擦过的痕迹。

内存的背面也可以看到真品的走线比较清晰自然，而仿冒品则比较零乱，包括焊点的质量，谁真谁一目了然。

为了防止仿冒品三星原厂内存的代理商未雨绸缪的使用了防伪技术，在真品的内存中贴上了一张镭射三星金条的贴纸，同时整体原厂的包装中也附带有了一张质量保证卡。相信这些仿冒者除非下血本，不然还是难以与真品的附件质量相抗衡的。

三星内存颗粒上的编号“TC”，其中的“T”代表用TSOP封装方式。

一、三星DDR系列内存芯片：

三星TCB3颗粒：

TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。

三星TCCC颗粒：

TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。

三星TCC4颗粒：

TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210-220MHz，3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。

三星TCC5颗粒：

TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比它的前辈TCC4都要优秀很多，一般多用在DDR466内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4要高，默认工作时序可以达到2.5-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。这款颗粒相比TCCC和现代的D43来说并不常见，售价相对较高，对于AMD,Intel的平台都比较适应，200MHz下可以提供不错的时序，而超频状态下可以提供不错的频率，是一个不错的选择。

三星TCCD颗粒：

TCCD：TCCD是另一款经典高频颗粒，可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达到，几乎适用于所有的主流主板。目前用TCCD颗粒的内存产品在绝大多数主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的，不少用TCCD颗粒的品牌内存已经成为超频玩家们追捧的对象。

三星UCCC颗粒：

此外三星UCCC内存颗粒低延迟特性也为玩家所追捧，选用UCCC颗粒的DDR400内存条，默认工作时序为3-3-3-6，在不加电压超频模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相对价格也要便宜一些，非常适合大众选择。

三星DDR2系列内存芯片

GCCC是目前最常见的三星颗粒，多用于DDR2-400产品

使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力。

目前全球速度最快的三星金条DDR2-800用三星ZCE7颗粒

最近生产的三星颗粒上，厂家标识已经从原来的“SAMSUNG”改为“SEC”了

DDR2时代，三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。

目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、***5/ZCD5(多用于DDR2-533)、***6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星金条内存品质非常好的一个原因。GCCC和***5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。三星金条作为韩国三星电子的原厂原装内存，多选用这种颗粒。

KINGMAX系列：

KINGMAX的产品以他的TINYBGA封装形式得以闻名，同时因为技术的独特性也一定程度抑制了货的生存。在去年KINGMAX为了丰富自己的产品线推出了一个SUPER-RAM的系列，这个系列用了TSOP封装技术，当然这也给仿冒工厂带来了又一个利润点。

不过KINGMAX公司也意识到了这一点，对这个系列的内存使用了非常多的防伪手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新设计一颗ASIC芯片(特殊用途芯片)，该颗粒用KINGMAX专利的TinyBGA技术进行封装，内部存储了ID CODE，具有全球统一识别码，也就是说拥有唯一性，同时还附上了800电话的查询贴纸，这样货就无处藏身了。

Kingmax内存都是用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

Winbond(华邦)系列

Winbond(华邦)是台湾著名的内存芯片生产商，该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的，该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。

1、BH-5

BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，并且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在3.2-3.4V高压下，部分用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率，并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。

当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见，对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存电压调节，用BH-5颗粒的内存或许不太适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500，2-2-2-X以上，当然笔者不推荐正常使用中用这么高的电压(毕竟大多数用BH5颗粒的内存默认电压为2.5-2.6V之间)。

2003年是BH-5颗粒产量最多的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及极少数低端内存产品中；当然另外一种寻找BH-5内存的方法就是在销售商的库存产品中，或二手市场，网友之间的交易来获得。

2、CH-5

CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X，频率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5，高于3V的电压通常也起不到太明显的效果，这种现象虽然主要还是内存颗粒的本身体质来决定的，但是和内存厂商的PCB板设计，用料还是脱不了干系的。

不同批次的CH-5颗粒的差别也很大，一些少数CH-5颗粒同样可以达到BH-5所能够达到的成绩，当然几率非常小。目前华邦仍然在继续生产CH-5颗粒，在BH-5停产后，缩水版的CH-5也逐渐被很多高端内存所选购，成为新一代的“极品”，不少用CH-5颗粒的内存在适当的加压后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他几个高端品牌的内存产品的一些型号均用了CH-5颗粒。

3、BH-6

BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH-6同样可以工作在2-2-2-2X的参数下，并且在3.2-3.4V电压下可以稳定工作在240-250MHz。

不过由于华邦在推出BH-6颗粒不久后由于产能不足停止了该型号颗粒的生产，因此相比BH-5颗粒来说BH-6颗粒数量更为稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型号的内存产品上用了BH-6颗粒。

4、CH-6

CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本，虽然大家对这款华邦低端DDR颗粒不是很看好，但是它仍然继承了华邦系列一贯的优秀品质。CH-6在大多数情况下和CH-5很相似，不过不太容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样同样对于电压不是很敏感，最高的工作频率应该是220MHz，2-3-2-X的时序。CH-6面对的是性价比比较高的市场，在一些较低端的内存产品上比较常见，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。

5、UTT

UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4-3.6V的电压下工作。

UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同，但BH-5更偏爱单面分布的方式，因此BH-5系列内存的最好超频搭配为2x256MB,但UTT无论是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同样出色，这一优势在1GB内存成为主流容量的今天显得特别重要，512MB的容量在对付主流的3D游戏和软件应用已经捉襟见肘。

UTT颗粒在辨认上显得有点困难，可以通过印刷在颗粒表面的商标很容易地辨认出上面介绍的华邦其他四款内存芯片，但是UTT的颗粒印刷种类比较多，在寻找的时候会带来不小的难度。UTT常见的颗粒表面印着M.Tec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征(颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片)。

一般具备华邦内存颗粒特征但是没有印刷BH-5/CH-5的DDR400颗粒通常就是UTT颗粒了。一但拥有了用UTT颗粒的内存，你会发现拥有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么值得兴奋的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多种品牌的低价内存上看到它的身影。1GB容量的售价在150美元左右，非常超值。

华邦系列内存颗粒的特征－颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片。

镁光(Micron)系列颗粒

镁光系列DDR内存颗粒以出色的超频性能以及兼容性好而著称，好多超频玩家称之为“中庸内存”，在中端领域镁光的颗粒无人能敌。目前常见的DDR颗粒包括-5B C/-5B G系列。

1、-5B C

说实话镁光的5B系列颗粒本来应该十分热卖才对，这款-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在3.0V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。

镁光的颗粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外该款内存的异步性能非常好，对于高端的Athlon64，Intel平台处理器FSB的提升尤其有帮助。目前多家厂商推出的PC3200内存均用了镁光的这款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外还包括Crucial，OCZ和其他品牌。

-5B G

-5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列内存就用了这款型号的内存颗粒，不仅工作频率高，内存时序也相当出色。

-5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售价在250美元左右，此外你还可以在镁光原厂DDR400上发现这款颗粒的身影。

美光内存芯片编号的说明如下：

美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。

在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。

实例：一条Micron DDR内存条，用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

Infineon(英飞凌)系列颗粒

Infineon(英飞凌)科技作为内存界的元老，其在SD时代的超频性能无人能敌，并且具备完美的兼容性能。有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。目前英飞凌常见的几款DDR内存颗粒在超频上都有不错的表现。

1、B5

这是英飞凌的5ns内存颗粒，不过并不多见，因为仅有Corsair XMS3200 rev. 3.1这款内存使用了B5颗粒，默认设置为200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，总体特征和华邦的CH-6颗粒很类似。B5颗粒对电压同样敏感，不过没有华邦的颗粒那么明显，即使加压后超频幅度也很一般，在2.9-3.0V的电压下只能工作在220-230MHz，尝试超过这个电压更是在浪费时间。

2、BT-6

这款是英飞凌的6ns颗粒，主要使用在PC2700内存产品上，和B5很类似，仅是在超频幅度上略逊于后者。Kingston的KVR2700就是用了BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz，2.5-3-3-11的时序；目前6ns的BT-6算是比较落伍了，不过可以轻松达到200MHz，CAS2.5的水准，如果想要达到更高的频率和参数，就要在电压上下功夫了。综合来说，BT-6的好处就是以PC2700的价格带给你PC3200的体验。

3、BT-5

目前最常见的英飞凌DDR400芯片就是BT-5，默认工作频率为200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常优化时序为2.5-3-2-X,显得一般，不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在2.8V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都用了这款BT-5颗粒，是一款性价比不错的产品。

4、CE-5/BE-5

在BT-5 200MHz下的时序遭人诟病以后，英飞凌的另外一款5ns DDR颗粒进入了市场，CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。

英飞凌内存芯片编号的说明如下：

在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码）

西门子内存颗粒(实际上还是上面的英飞凌)

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

南亚科技（Nanya）

南亚内存芯片编号说明如下：

南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则。

尔必达（ELPIDA）

尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多用尔必达芯片的产品。

尔必达内存芯片编号说明如下：

尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。

茂矽（MOSEL VITELIC）

茂矽内存芯片编号说明如下：

茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。

2003年世界最大十家DRAM厂商排名：

从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，），力晶（Powerchip，）、华邦（Winbond，）、冲电气（Oki，日本）。

最后要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。